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產(chǎn)品中心

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充電管理
線性穩(wěn)壓
LED驅(qū)動
DC-DC轉(zhuǎn)換器
精密電源
快充協(xié)議
霍爾開關
運算放大器
邏輯電路
其他

DW01A

Features
1)High accuracy voltage detection
Overcharge detection voltage 4.300V
Overcharge release voltage 4.100V
Over discharge detection voltage 2.400V
Over discharge release voltage 3.000V

2)Discharge overcurrent detection function
Discharging overcurrent detection voltage 0.150V
Short-circuit detection voltage 1.000V

3)Charging overcurrent detection voltage -0.150V

4)Load Detection function
5)Charger Detection function
6)0 V battery charge function
7)Ultra-low power dissipation
Normal mode 1.5 μA (TyP.)(Ta= +25°C)
Overdischarge mode 0.7 μA (Typ.)(Ta= +25°C)
8)RoHS, PB-Free, HF

DW01A

特性
● 工作電流低 
● 過充檢測 4.30V，過充釋放 4.10V  
● 過放檢測 2.4V，過放釋放 3.0V 
● 充電過流檢測-0.15V，放電過流檢測 0.15V 
● 短路電流檢測 1.0V 
● 充電器檢測 
● 過電流保護復位電阻 
● 帶自恢復功能 
● 0V 充電使能 
● 工作電壓范圍廣 
● 封裝：SOT23-6L

DW01AD

2. Features
● Ultra-Low Quiescent Current at 4μA(VDD=3.9V). 
● Precision Overcharge Detection Voltage 4.30V & Over charge release Voltage 4.10V 
● Precision Over discharge detection Voltage 2.5V & Over discharge release Voltage 2.9V 
● Precision Overcurrent detection Voltage 0.16V & Short circuit current detection Voltage 1.3V 
● Automatically detect the charger connection 
● Automatically detect the current detection reset resistor 
● With self recovery function 
● with 0V charging enable 
● Wide operating voltage range 
● The ultra-small package of SOT23-6 

DW01A

Features
 Reduction in Board Size due to Miniature Package SOT-23-6.
 Ultra-Low Quiescent Current at 3μA (Vcc=3.6V).
 Overdischarge Current at 4μA (Vcc= V).
 Precision Overcharge Protection Voltage 4.3V ± 50mV
 Two Detection Levels for Overcurrent Protection.
 Delay times are generated by internal circuits. No external capacitors required. 

PT6006C

1. 功能
? 支持多種PDO功率：
? 18W/20W/25W
? ESD級別：8kV HBM and 400V MM contact
? 工作溫度：-40OC ~ +125OC
? 封裝: SOT23-6L
? 符合 RoHS 標準，無鹵素 

PT6006AC

Feature
USB-C and USB-A dual port operation with cost effective single power source

USB-C Charging Standard Identification:
1.USB Power Delivery 3.0 Fix PDO
2.USB Power Delivery 3.0 PPS 3.3-11V
3.USB Type C Cc-logic 5V3A
4.BC 1.2 & YD/T1591-2009
5.Qualcomm QC2 and QC3
6.Apple 12W
7.AFC/FCP
8.Private Low Voltage Charging

USB-A Charging Standard ldentification:
1.BC 1.2 & YD/T1591-2009
2.Qualcomm QC2 and QC3
3.Apple 12w
4.AFC/FCP
5.Private Low Voltage Charging

CC pins HV protection up to 12V
2kV HBM and 1KV CDM ESD Level
-40℃~+125℃ 0peratingTemperature
Package:TSSOP-16L,QFN-16L
RoHS compliant and Halogen free

TL432

FEATURES
Low dynamic output impedance
The effective temperature compensation in the working range of full temperature
Low output noise voltage
Fast on -state response
Sink current capability of 0.1mA to100mA

TL431N

FEATURES
● Equivalent Full Range Temperature Coefficient 50PPM/℃ 
● Temperature Compensated For Operation Over Full Rate Operating Temperature Range
● Adjustable Output Voltage
● Fast Turn-on Response
● Sink Current Capability 1mA to 100mA
● Low (0.2? Typ.) Dynamic Output Impedance
● Low Output Noise 

TL431C

FEATURES
● Equivalent Full Range Temperature Coefficient 50PPM/℃ 
● Temperature Compensated For Operation Over Full Rate Operating Temperature Range 
● Adjustable Output Voltage 
● Fast Turn-on Response 
● Sink Current Capability 1? to 100? 
● Low (0.2? Typ.) Dynamic Output Impedance 
● Low Output Noise

PT251

特點
? 低功耗
- 5Hz版本：1.6uA@1.8V 
- 20Hz版本：3.3uA@1.8V
? 寬工作電壓范圍：1.6V~5.5V
? 磁場閾值可選（Bop）
- 33Gs 低閾值
- 46Gs 高閾值
? 全極磁場檢測
? CMOS推挽輸出
? 封裝：SOT-23-3L SOT-553 TO-92S
? 工作溫度范圍：-40℃~85℃
? 卓越的ESD性能：HBM 8KV
? 符合RoHS標準

PT809

特點
? 精確的復位閾值：±2.5%
? 最小140ms的復位脈沖寬度
? 低工作電流：3V時典型值3.2μA
? 復位信號在電源電壓低至1.15V時仍能維持可靠輸出
? 對短時間電源突降的過濾功能
? 工作溫度范圍：－40°C to +85°C 

PT4058

特點：
? 獨立的單節(jié)鋰電池充電管理集成電路
? 輸入電壓范圍：3.8V 到 6V
? 片內(nèi)功率晶體管
? 不需要外部阻流二極管和電流檢測電阻
? 恒壓充電電壓 4 . 2 V，也可通過一個外部電阻 向上調(diào)整
? 為了激活深度放電的電池和減小功耗，在電 池電壓較低時采用小電流的預充電模式
? 可設置的持續(xù)恒流充電電流可達 1 A 
? 采用恒流/恒壓/恒溫模式充電，既可以使充 電電流最大化，又可以防止芯片過熱
? 電源電壓掉電時自動進入低功耗的睡眠模式
? 充電狀態(tài)和充電結(jié)束狀態(tài)指示輸出
? C/10充電結(jié)束檢測
? 自動再充電
? 電池溫度監(jiān)測功能
? 封裝形式：ESOP8
? 產(chǎn)品無鉛，滿足rohs，不含鹵素

PT4057

特性
◆可編程充電電流500mA 
◆無需外接MOSFET，檢測電阻以及隔離二極管 
◆用于單節(jié)鋰電池、采用SOT23-6封裝的完整線性充電器 
◆恒定電流/恒定電壓操作，并具有可在無過熱危險的情 況下實現(xiàn)充電速率最大化的熱調(diào)節(jié)功能。 
◆精度達到-1%、+2%的4.2V預充電電壓 
◆用于電池電量檢測的充電電流監(jiān)控器輸出 
◆自動再充電 
◆充電狀態(tài)雙輸出、無電池和故障狀態(tài)顯示 
◆C/10充電終止 
◆待機模式下的靜態(tài)電流為25uA 
◆2.9V涓流充電 
◆軟啟動限制浪涌電流 
◆BAT輸入防反接保護

PT4056S

特性
◆可編程充電電流1000mA 
◆無需外接MOSFET，檢測電阻以及隔離二極管 
◆用于單節(jié)鋰電池、采用ESOP8封裝的完整線性充電器 
◆恒定電流/恒定電壓操作，并具有可在無過熱危險的情況 下實現(xiàn)充電速率最大化的熱調(diào)節(jié)功能。 
◆充電截至精度：4.2V-1% ~ 4.2V＋2%
◆用于電池電量檢測的充電電流監(jiān)控器輸出 
◆自動再充電 
◆充電狀態(tài)雙輸出、無電池和故障狀態(tài)顯示
◆C/10充電終止
◆停機模式下的靜態(tài)電流為35uA 
◆2.9V涓流充電 
◆電池溫度監(jiān)測 
◆軟啟動限制浪涌電流 
◆BAT輸入防反接保護 
◆可 0V 激活

PT4054B

特點
◆ 可編程充電電流高達800mA
◆ 無需外接MOSFET，檢測電阻以及隔離二極管
◆ 用于單節(jié)鋰電池、采用ESOP8封裝的完整線性充電器
◆ 恒定電流/恒定電壓操作，并具有可在無過熱危險的情 況下實現(xiàn)充電速率最大化的熱調(diào)節(jié)功能。
◆ 充電截至精度：4.2V-1% ~ 4.2V＋2%
◆ 用于電池電量檢測的充電電流監(jiān)控器輸出
◆ 自動再充電
◆ 充電狀態(tài)、無電池和故障狀態(tài)顯示
◆ C/10充電終止
◆ 停機模式下的靜態(tài)電流為35uA
◆ 2.9V涓流充電
◆ 軟啟動限制浪涌電流
◆ BAT輸入防反接保護
◆ 可0V激活 

PT4054

特點
◆可編程使充電電流可達500mA.
◆不需要MOSFET，傳感電阻和阻塞二極管
◆恒電流/恒電壓運行和熱度調(diào)節(jié)使得電池管理效力
最高，沒有熱度過高的危險
◆從USB 接口管理單片鋰離子電池
◆預設充電電壓為4.2V±1%
◆充電電流輸出監(jiān)控
◆充電狀態(tài)指示標志
◆1/10充電電流終止
◆停止工作時提供25μA 電流
◆2.9V涓流充電閾值電壓
◆軟啟動限制浪涌電流電流
◆電池反接保護

PH4056H

特性
? 最高輸入電壓：30V
? 充電截止精度：4.2V ±1%
? 過壓保護電壓：7.3V
? 最大充電電流：1000mA
? 涓流/恒流/恒壓三段式充電
? 無需 MOSFET、檢測電阻器和隔離二極管
? 智能熱調(diào)節(jié)功能可實現(xiàn)充電速率最大化
? 智能再充電功能
? BAT 輸入防反接保護
? 待機模式靜態(tài)電流：1.2μA
? C/5 充電終止
? 2.9V 涓流充電閾值
? 充電狀態(tài)指示
? 可0V激活
? 封裝形式： ESOP8 

PH4054H

特性
? 最高輸入電壓：30V
? 充電截止精度：4.2V ±1%
? 過壓保護電壓：7.3V
? 最大充電電流：500mA
? 涓流/恒流/恒壓三段式充電
? 無需 MOSFET、檢測電阻器和隔離二極管
? 智能熱調(diào)節(jié)功能可實現(xiàn)充電速率最大化
? 智能再充電功能
? BAT 輸入防反接保護
? 待機模式靜態(tài)電流：1.2μA
? C/5 充電終止
? 2.9V 涓流充電閾值
? 充電狀態(tài)指示
? 可0V激活
? 封裝形式： SOT23-5L 

PT4115

特點
? 最大輸出電流：1.2A
? 寬輸入電壓范圍：8V～40V
? 高電流精度：±3%
? 高效率：95%
? 負載開路和短路保護
? PWM 和線性調(diào)光
? 滯環(huán)控制：無需補償
? 最高工作頻率：1MHz
? 內(nèi)置過溫電流補償控制
? DIM 腳接 NTC 電阻到地實現(xiàn)過溫電流 補償
? DIM 腳接電阻到地實現(xiàn)亮度調(diào)節(jié)

PT6113

Features
? 2.5V~5.5V input voltage range
? 35uA ultra-low quiescent current
? Internal soft-start reduces chip stress
? Input Overvoltage Protection (OVP)
? Short circuit protection Hiccup mode
? Internal integrated low RDS(ON) switch
? 1.0 MHz switching frequency minimizes external components
? Optimized PFM mode for battery applications to improve light-load efficiency and extend battery life
? 100% duty cycle supports input and output low dropout operation
? RoHS Compliant and Halogen Free
? PT6113M5:SOT23-5 / PT6113M6:SOT23-6 / PT6113F8:DFN2×2-8 / PT6113FC:DFN3x3-10 package 

PT6112

Features
? 2.5V~5.5V input voltage range
? 35uA ultra-low quiescent current
? Internal soft-start reduces chip stress
? Input Overvoltage Protection (OVP)
? Short circuit protection Hiccup mode
? Internal integrated low RDS(ON) switch
? 1.5MHz switching frequency minimizes external components
? Optimized PFM mode for battery applications to improve light-load efficiency and extend battery life
? 100% duty cycle supports input and output low dropout operation
? RoHS Compliant and Halogen Free
? PT6112M5:SOT23-5 / PT6112M6:SOT23-6 package 

PT6111

Features
? 2.5V~5.5V input voltage range
? 35uA ultra-low quiescent current
? Internal soft-start reduces chip stress
? Input Overvoltage Protection (OVP)
? Short circuit protection Hiccup mode
? Internal integrated low RDS(ON) switch
? 1.5MHz switching frequency minimizes external components
? Optimized PFM mode for battery applications to improve light-load efficiency and extend battery life
? 100% duty cycle supports input and output low dropout operation
? RoHS Compliant and Halogen Free
? PT6111M5:SOT23-5 / PT6111M6:SOT23-6 package

PH6122

主要特點
? 0.6V±2% 輸出電壓精度
? 4.5V-18V的輸入電壓范圍
? 最大2A的輸出電流
? 輸出電壓范圍0.6V~5V
? 高效率的同步整流模式
? 500KHz的開關頻率
? 快速的瞬態(tài)響應特性
? 內(nèi)置HICCUP功能
? 輸出短路保護功能
? 限流保護
? 短路保護
? 內(nèi)置軟啟動
? 輸入欠壓鎖定
? 輸出過壓和欠壓保護
? 過溫保護
? SOT23-6L封裝

PT6291

特點
◆ 效率高達93％
◆ 可調(diào)升壓輸出至12V
◆ 內(nèi)部固定PWM工作頻率：1MHz
◆ 輸入過壓保護(＜6V)
◆ 輸出短路保護
◆ 輸出過壓保護
◆ FB基準電壓0.6V
◆ 工作溫度-40℃至85℃
◆ 內(nèi)置軟啟動功能 

PT2005

特點
支持 DCM 和 QR 模式
內(nèi)部集成低內(nèi)阻的N溝道功率MOSFET
開關轉(zhuǎn)換速度快、反向恢復時間短
特有的自供電技術，無需外部電源供電
內(nèi)置多重保護
外圍應用器件少
靜態(tài)功耗小

PT35XX

特點
支持 DCM 和 QR 模式
內(nèi)部集成低內(nèi)阻的N溝道功率MOSFET
開關轉(zhuǎn)換速度快、反向恢復時間短
特有的自供電技術，無需外部電源供電
內(nèi)置多重保護
外圍應用器件少
靜態(tài)功耗小

PT2280

FEATURES

Primary Side Constant-Current (cc) Control for DCM and CCM Operation
±5% CC Regulation;   ±1% CV Regulation
Less than 75mW Standby Power
Fixed 65KHz Switching Frequency
Green Mode and Burst Mode Control
Very Low Startup and Operation Current.  
Built-in Frequency Shuffling to Reduce EMI  
Built-in Current Mode Control with internal Slope Compensation
Built-in Line & inductance Compensation for cc Operation
Built-in Protections with Auto Recovery:
VDD Under Voltage Lockout (UVO)
VDD Over Voltage Protection (OVP)
On-Chip Thermal Shutdown (OTP)
Cycle-by-Cycle Current Limiting
Over Load Protection (OLP)
Short Circuit Protection (SCP)
Leading Edge Blanking (LEB)
CS Pin Float Protection

PT7200XS

特點
內(nèi)置 800V 功率 BJT
高效率準諧振一次側(cè)調(diào)節(jié)控制(PSR-QR)
無需外部電容補償
恒壓恒流精度高
可編程線損補償
過溫保護(0TP)
過壓保護和鉗位(0VP)短路保護(SLP)
輸出電壓保護(0VP&Clamp)
低待機功耗≤75mW
采用 SOP-7 封裝
建議設計輸出電壓在12V(含12V)以下應用

PT2783XS

特點
內(nèi)置 800V 功率 BJT
高效率準諧振一次側(cè)調(diào)節(jié)控制(PSR-QR)
無需外部電容補償
恒壓恒流精度高
可編程線損補償
過溫保護(0TP)
過壓保護和鉗位(0VP)短路保護(SLP)
輸出電壓保護(0VP&Clamp)
低待機功耗≦75mW
采用 SOP-7 封裝
建議設計輸出電壓在12V(含12V)以下應用

PT2773XS

特點
原邊反饋控制高精度恒流、恒壓
75mW待機功耗
內(nèi)置 800V 三極管
內(nèi)置線電壓補償、負載補償和恒流補償可調(diào)線損補償
隨機頻率抖動調(diào)制減少系統(tǒng)電磁干擾
可調(diào)線損補償
過溫補償(OTP)
輸出電壓保護(OVP)、短路保護(SLP)
VCC過壓保護和鉗位(0VP/Clamp)
建議設計輸出電壓在12V(含12V)以下應用

PT1812XS

特點
內(nèi)置 800V 功率 BJT
高效率準諧振一次側(cè)調(diào)節(jié)控制(PSR-QR)
無需外部電容補償
恒壓恒流精度高
可編程線損補償
過溫保護(OTP)
過壓保護和鉗位(0VP)短路保護(SLP)
輸出壓保護(0VP&Clamp)
低待機功耗三75mW
采用 SOP-7 封裝
建議設計輸出電壓在12V(含12V)以下應用

PT712XS

特點
■ 原邊反饋控制高精度恒流、恒壓
■ 75mW 待機功耗
■ 內(nèi)置 800V 三極管
■內(nèi)置線電壓補償、負載補償和恒流補償
■ 可調(diào)線損補償
■ 隨機頻率抖動調(diào)制減少系統(tǒng)電磁干擾
■ 過溫補償 （OTP） 
■ 輸出電壓保護（OVP）、短路保護（SLP）
■ VCC過壓保護和鉗位（OVP/Clamp）
■ 建議設計輸出電壓在12V（含12V）以下應用

PT250X

n Features
 ? Integrated with 650V MOSFET ? Support Flyback and Buck Topology:
? Flyback PSR Control (SEL= Floating)
? QR-Buck CC Control (SEL= GND)
?? Multi Mode PSR Control
?? Audio Noise Free Operation for PSR
?? Optimized Dynamic Response for PSR
?? Low Standby Power <70mW
?? ±4% CC and CV Regulation
?? Programmable Cable Drop Compensation：
(CDC) in PSR CV Mode
?? Built-in AC Line & Load CC Compensation
?? Build in Protections:
? Short Load Protection (SLP)
? On-Chip Thermal Shutdown (OTP)
? Cycle-by-Cycle Current Limiting
? Leading Edge Blanking (LEB)
? Pin Floating Protection
?? VDD UVLO OVP & Clamp
?? Package: SOP-7

PTP5N65-E

Features
●Low Intrinsic Capacitances
●Excellent Switching Characteristics
●Extended Safe Operating Area
●Unrivalled Gate Charge : 15 nC (Typ.)
●BVDSS=650V,ID=4.5A
●Lower RDS(on) : 2.7Ω (Max) @VG=10V
●100% Avalanche Tested

PTP2N80

800V N-Channel MOSFET
Features
●Low Intrinsic Capacitances
●Excellent Switching Characteristics
●Extended Safe Operating Area
●Unrivalled Gate Charge :Qg= 13nC (Typ.)
●BVDSS=800V,ID=3A
●RDS(on) : 5 Ω (Max) @VG=10V
●100% Avalanche Tested

PTP01H11

Description
The PTP01H11 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications

General Features
● VDS =100V,ID =110ARDS(ON) <9mΩ @ VGS=10V
● High density cell design for ultra low Rdson
● Fully characterized avalanche voltage and current
● Good stability and uniformity with high EAS
● Excellent package for good heat dissipation
● Special process technology for high ESD capability

Application
● Power switching application
● Hard switched and high frequency circuits
● Uninterruptible power supply

PTP01H10

Description
The PTP01H10 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.
General Features

● VDS = 100V,ID =100ARDS(ON) < 11mΩ @ VGS=10V (Typ:9.9mΩ)
● Special process technology for high ESD capability
● High density cell design for ultra low Rdson
● Fully characterized avalanche voltage and current
● Good stability and uniformity with high EAS
● Excellent package for good heat dissipation

Application
● Power switching application
● Hard switched and high frequency circuits
● Uninterruptible power supply

PTF12N60

Features
■ RDS(on) (Max 0.70 Ω )@VGS=10V
■ Gate Charge (Typical 50nC)
■ Improved dv/dt Capability, High Ruggedness
■ 100% Avalanche Tested
■ Maximum Junction Temperature Range (150°C)

PTF10N65

Features
■ RDS(on) (Typical 0.70 Ω )@VGS=10V
■ Gate Charge (Typical 45nC)
■ Improved dv/dt Capability, High Ruggedness
■ 100% Avalanche Tested
■ Maximum Junction Temperature Range (150°C)

General Description
This Power MOSFET is produced using Wisdom’s advanced
planar stripe, DMOS technology. This latest technology has been
especially designed to minimize on-state resistance, have a high
rugged avalanche characteristics. These devices are well suited
for high efficiency switch mode power supplies, active power factor
correction, electronic lamp ballasts based on half bridge topology.

PTF10N60

Features
10.0A, 600V, RDS(on) = 0.750Ω @VGS = 10 V
Low gate charge ( typical 48nC)
High ruggedness
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
?

服務熱線

0755-83268058

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